電力電子技術實驗報告 0電氣---答案

注意：實驗報告一定要有實驗結果。涂改的一定要弄得干凈一點。

1：實驗報告封皮和實驗報告項目里面的每一項的日期，學時，名稱等都要填，不能空著。除了第一次的實驗是第⑦周的周四做的，其他的實驗都是周一（從第9周第14周）。只有第三個實驗是4學時，其他的6個都是2學時。

2：實驗報告一定要有實驗結果。只要畫了的表格就要有內(nèi)容，不能那么空著，如果不想填寫那么多項，就把已經(jīng)畫的

表格擦干凈按著下面我寫的項目重新填寫。:

3：按著我給的電子版的實驗報告成績進行修改，沒有成績的實驗項目都要修改。4：實驗報告答案部分用的批注的形式寫的，認真看好批注內(nèi)容。5：3號中午要把修改好的實驗報告收齊。3號下午送到我辦公室。

實驗一：S05203001單相橋式半控整流電路實驗注意是半控不是半波！所以和全橋的結果是一樣的。下面這個是控制角α=30°時橋側(cè)輸出電壓Ud波形。不管是電阻負載，阻感負載（不帶續(xù)流二極管），阻感負載（帶續(xù)流二極管）都是一樣的，就畫一個α=30°的就行了，晶閘管兩側(cè)的電壓波形就不用畫了。

α=30u°ddd

0t

理論計算公式和全橋一樣。都是Ud＝0.9U2(1+cosα)/2。下面的表格不是要求全寫，看實驗報告要求和你自己已經(jīng)畫好的表格安排。一定不要把畫好的表格隨便用筆劃掉。如果畫了就都要填上，測量值按著和理論值誤差30%以內(nèi)填寫。

從開始就沒有畫表格的至少要把電阻負載的表格部分都寫上，也就是我加粗的部分要寫上。電阻負載控制角α60°U250V90°50V22.522.522.5120°50V11.2511.2511.25Ud（測量值）Ud（計算值）33.75阻感負載（不帶續(xù)流二極管）Ud（測量值）Ud（計算值）33.75阻感負載（帶續(xù)流二極管）Ud（測量值）Ud（計算值）33.75實驗二：

S05203002單相橋式全控整流電路實驗理論計算公式Ud＝0.9U2(1+cosα)/2。

圖形只要畫下面控制角α=30°時橋側(cè)輸出電壓Ud波形和晶閘管兩側(cè)的電壓波形就可以了。α=30°：

0u0udiVT

t1t測量值按著和理論值誤差30%以內(nèi)填寫。αU2Ud（測量值）Ud（計算值）0°50V4530°50V41.98560°50V33.7590°50V22.5120°50V11.25

實驗三：S05203003三相橋式全控整流電路實驗按教材P55-P57圖2-18~2-21波形畫圖，只要畫α=30°，α=90°的輸出電壓Ud的波形就可以了。在圖上標注控制角。整流電壓Ud的數(shù)值大部分同學沒有寫，那就不寫了。

實驗四：S05203004直流斬波電路實驗，實驗結果的圖形大部分同學都畫了。部分同學沒有寫實驗結果，就是那個UL的測量值沒有寫。那個測量結果就是按著計算值差不多誤差30%以內(nèi)填寫，不要和計算值完全相同。計算值的公式：UL=σU1（其中U1大概是80V，而占空比σ大部分同學都是寫的30%和98%，具體怎么算也不用我計算吧）

實驗五：S05203005單相交流調(diào)壓電路實驗

除了UΑ、UB、UC、UD與UE記錄下來。還要求填寫U0的測量值，按著計算公式：

Uo2112UsintdtU1sin212，如下表已經(jīng)計算出來，U0測量值按著和理論值誤差30%以內(nèi)填寫。U0

的波形圖就按著教材畫，也可以不畫。不用涂抹的臟兮兮的�？刂平铅罸1U0（測量值）U0（計算值）30°50V45.690°50V35.4120°50V28.9實驗六：單相橋式有源逆變電路實驗

橋側(cè)輸出電壓波形如下：這個大概是逆變角為60度的波形。注意逆變角是從右向左變大。電流波形可以不畫。α=60°：udOt30°-3960°-22.590°0Ud＝0.9U2cosα=-0.9U2cosβ其中，U2=50V。逆變角β越大，橋路電壓計算平均值Ud值的絕對值就越小。

逆變角β直流電源E/V橋路電壓測量平均值Ud橋路電壓計算平均值Ud逆變電路電流Id/A40mA76mA120mA

實驗七：單相交-直-交變頻電路實驗。部分同學沒有寫實驗結果，就是那個表格沒有畫。表格畫的項目較多的同學要填寫全。實驗只是讓你們做兩各K值，但是其他的就按著K值的比例來填就可以了。不要直接劃掉。如果就按著實驗做的兩組K值填寫的表格，就不用修改了。

擴展閱讀：電力電子技術實驗報告

課程名稱電力電子技術

指導老師馬海嘯

學生姓名江海燕班級學號B08050801學院（系）自動化專業(yè)自動化

實驗一功率場效應晶體管(MOSFET)特性與驅(qū)動電路研究

一．實驗目的

1．熟悉MOSFET主要參數(shù)的測量方法。2．掌握MOSEET對驅(qū)動電路的要求。

3．掌握一個實用驅(qū)動電路的工作原理與調(diào)試方法。

二．實驗內(nèi)容

1．MOSFET主要參數(shù)：開啟閾值電壓VGS(th)，跨導gFS，導通電阻Rds，輸出特性ID=f(Vsd)等的測試。

2．驅(qū)動電路的輸入，輸出延時時間測試。

三．實驗設備和儀器

1．MCL-07電力電子實驗箱中的MOSFET與PWM波形發(fā)生器部分2．雙蹤示波器3．毫安表4．電流表5．電壓表

四．實驗線路

見圖2-1

五．實驗方法

1．MOSFET主要參數(shù)測試(1)開啟閾值電壓VGS(th)測試

開啟閾值電壓簡稱開啟電壓，是指器件流過一定量的漏極電流時(通常取漏極電流ID=1mA)的最小柵源電壓。

斷開MCL-07中的電源（開關S），主回路的“1”端與MOS管的“25”端之間串入直流毫安表，測量漏極電流ID，將主回路的“3”與“4”端分別與MOS管的“24”與“23”相連，再在“24”與“23”端間接入電壓表，測量MOS管的柵源電壓Vgs，并將主回路電位器RP左旋到底，使Vgs=0。

將電位器RP逐漸向右旋轉(zhuǎn)，邊旋轉(zhuǎn)邊監(jiān)視毫安表的讀數(shù)，當漏極電流ID=1mA時的柵源電壓值即為開啟閾值電壓VGS(th)。

適當選擇、讀取7組ID、Vgs，其中ID=1mA必測，填入表2-1。表2-1

ID(mA)Vgs(V)

0.12.860.43.010.73.0713.1153.30103.39203.

圖2-1MOSFET實驗電路

(2)跨導gFS測試

雙極型晶體管(GTR)通常用hFE(β)表示其增益，功率MOSFET器件以跨導gFS表示其增益�？鐚У亩�義為漏極電流的小變化量與相應的柵源電壓小變化量之比，即gFS=ΔID／ΔVGS。

典型的跨導額定值是在1/2額定漏極電流和VDS=15V下測得，受條件限制，實驗中只能測到1/5額定漏極電流值。

根據(jù)表2-1的測量數(shù)值，計算gFS=0.003Ω。(3)轉(zhuǎn)移特性ID=f(Vsd)

柵源電壓Vgs與漏極電流ID的關系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性。根據(jù)表2-1的測量數(shù)值，繪出轉(zhuǎn)移特性曲線如下。MOSFET轉(zhuǎn)移特性25漏極電流Id/mA201*105000.511.522.5柵源電壓Ugs/V33.54

轉(zhuǎn)移特性曲線

(4)導通電阻RDS測試

導通電阻定義為RDS=VDS／ID

將電壓表接至MOS管的“25”與“23”兩端，測量VDS，其余接線同上。改變VGS從小到大讀取ID與對應的漏源電壓VDS，測量7組數(shù)值，填入表2-2。

表2-2ID(mA)VDS(V)0.114.850.414.850.714.83114.81514.731014.60201*.35

(5)ID＝f(VSD)測試

ID＝f(VSD)系指VGS=0時的VDS特性，它是指通過額定電流時，并聯(lián)寄生二極管的正向壓降。

A．在主回路的“3”端與MOS管的“23”端之間串入直流毫安表，主回路的“4”端與MOS管的“25”端相連，在MOS管的“23”與“25”之間接入電壓表，將RP右旋轉(zhuǎn)，讀取一組ID與VSD的值填入表2-3。

表2-3ID(mA)VSD(V)0.10.450.40.490.70.5110.5250.56100.58200.61

B．將主回路的“3”端與MOS管的“23”端斷開，在主同路“1”端與MOS管的“23”端之間串入直流安培表，讀取VSD的值。VSD=0.86V。

C．將“1”端與“23”端斷開，在主回路“2”端與“23”端之間串入安培表，讀取VSD

的值。VSD=0.89V。

記錄開門時間ton（輸入波形開始下降到輸出波形上升到最大值的90%）；關門時間toff（輸入波形開始上升到輸出波形下降到最大值的10%）

ton=920ns，toff=110.0ns

記錄延時時間toff1280ns（輸入波形開始上升到輸出波形也開始上升的時間）

實驗二直流斬波電路的性能研究

一．實驗目的

熟悉降壓斬波電路(BuckChopper)和升壓斬波電路(BoostChopper)的工作原理，掌握這兩種基本斬波電路的工作狀態(tài)及波形情況。

二．實驗內(nèi)容

1．SG3525芯片的調(diào)試。

2．降壓斬波電路的波形觀察及電壓測試。3．升壓斬波電路的波形觀察及電壓測試。

三．實驗設備及儀器

1．電力電子教學實驗臺主控制屏。2．MCL-16組件。

3．MEL-03電阻箱(900／0.41A)或其它可調(diào)電阻盤。4．萬用表。5．雙蹤示波器

6．2A直流安培表(MCL-Ⅱ2A直流毫安表為數(shù)字式儀表，MCL-Ⅲ2A直流安培表為指針式儀表，其他型號可能為MEL-06)。

四．實驗方法

1．SG3525的調(diào)試。原理框圖見圖2-4。將扭子開關S1打向“直流斬波”側(cè)，S2電源開關打向“ON”，將“3”端和“4”端用導線短接，用示波器觀察“1”端和左側(cè)地之間的輸出電壓波形應為鋸齒波，并記錄其波形的頻率和幅值。

f=27.40kHz，幅值為3.30V

扭子開關S2扳向

圖2-4PWM波形發(fā)生“OFF”，用導線分別連

接“5”、“6”、“9”，

再將S2扳向“ON”，用示波器觀察“5”端波形，并記錄其波形、頻率、幅度。調(diào)節(jié)“脈沖寬度調(diào)節(jié)”電位器，記錄其最大占空比和最小占空比。

Dmax=77.7%，Dmin=9.5%，波形為方波，f=27.86kHz，幅度為14.0V2．實驗接線圖見圖2-5。

(1)將“主電源2”的“2”端和“直流斬波電路”的“2”端相連，將“PWM波形發(fā)生”的“7”、“8”端分別和直流斬波電路VT1的G1、S1端相連，“直流斬波電路”的“4”、“5”端串聯(lián)MEL-03電阻箱(將兩組900Ω／0.4lA的電阻并聯(lián)起來，逆時針旋轉(zhuǎn)調(diào)至阻值最大約450Ω)，和直流安培表(將量程切換到2A擋)。

圖2-5直流斬波電路

(2)檢查接線正確后，接通控制電路的電源（“PWM波形發(fā)生”中的S2。注意：必須先接通控制電路電源），再將“直流斬波電路”的“1”端和“主電源”的“1”端相連。改變脈沖占空比，每改變一次，分別觀察輸出電壓uO波形，記錄PWM信號占空比D，ui、uO的平均值Ui和UO。

占空比D31.8%50.3%70.4%Ui(V)16.8616.8916.91Uo(V)5.408.5212.06

(3)改變負載R的值使負載電流為0.25A，重復上述(2)的內(nèi)容。

占空比D30.7%50.3%70.4%Ui(V)17.0917.1016.91Uo(V)4.577.9911.42

(4)切斷主電路電源，斷開“主電路2”和“降壓斬波電路”的連接，斷開“PWM波形發(fā)生”與VTl的連接，分別將“直流斬波電路”的“7”和“主電路2”的“2”端相連，將VT2的G2、S2分別接至“PWM波形發(fā)生”的“7”和“8”端，直流斬波電路的“10”、“11”端，分別串聯(lián)MEL-03電阻箱(兩組分別并聯(lián)，然后串聯(lián)在一起順時針旋轉(zhuǎn)調(diào)至阻值最大約900Ω)和直流安培表(將量程切換到2A擋)。

檢查接線正確后，先接通控制電路的電源，再主接通主電路電源。改變脈沖占空比D，每改變一次，分別觀察輸出電壓uO波形，記錄PWM信號占空比D，ui、uO的平均值Ui和UO。

占空比D30.9%50.0%70.1%Ui(V)17.317.2117.20Uo(V)24.634.256.5

(5)改變負載R的值，使負載電流為0.3A，重復上述(4)的內(nèi)容。占空比D30.9%50.0%70.5%Ui(V)17.217.216.9Uo(V)23.131.648.8

(6)實驗完成后，斷開主電路電源，拆除所有導線。

五．注意事項

(1)“主電路電源2”的實驗輸出電壓為15V，輸出電流為1A，當改變負載電路時，注意R值不可過小，否則電流太大，有可能燒毀電源內(nèi)部的熔斷絲。

(2)實驗過程當中先加控制信號，后加“主電路電源2”。

(3)做升壓實驗時，注意“PWM波形發(fā)生器”的“S1”一定要打在“直流斬波”，如果打在“半橋電源”極易燒毀“主電路電源2”內(nèi)部的熔斷絲。

六．實驗小結

PWM波形發(fā)生的原理：沖量相等而形狀不同的加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時，其效果基本相同，也可稱之為面積等效原理，它是PWM控制技術的原理。

實驗三單相交直交變頻電路的性能研究

一．實驗目的

熟悉單相交直交變頻電路的組成，重點熟悉其中的單相橋式PWM逆變電路中元器件的作用，工作原理，對單相交直交變頻電路在電阻負載、電阻電感負載時的工作情況及其波形作全面分析，并研究工作頻率對電路工作波形的影響。

二．實驗內(nèi)容

1．測量SPWM波形產(chǎn)生過程中的各點波形。2．觀察變頻電路輸出在不同的負載下的波形。

三．實驗設備及儀器

1．電力電子及電氣傳動主控制屏。2．MCL-16組件。

3．電阻、電感元件(MEL-03、700mH電感)。4．雙蹤示波器。5．萬用表。

四．實驗原理

圖3-1單相交直交變頻電路的主電路

單相交直交變頻電路的主電路如圖3-1所示。

本實驗中主電路中間直流電壓ud由交流電整流而得，而逆變部分別采用單相橋式PWM逆變電路。逆變電路中功率器件采用600V8A的IGBT單管（含反向二極管，型號為ITH08C06），IGBT的驅(qū)動電路采用美國國際整流器公司生產(chǎn)的大規(guī)模MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路1R2110，控制電路如圖3-2所示，以單片集成函數(shù)發(fā)生器ICL8038為核心組成，生成兩路PWM信號，分別用于控制VT1、VT4和VT2、VT3兩對IGBT。ICL8038僅需很小的外部元件就可以正常工作，用于發(fā)生正弦波、三角波、方波等，頻率范圍0.001到500kHz。

五．實驗方法

1．SPWM波形的觀察

圖3-2SPWM波形發(fā)生

（1）觀察正弦波發(fā)生電路輸出的正弦信號Ur波形（“2”端與“地”端），改變正弦波頻率調(diào)節(jié)電位器，測試其頻率可調(diào)范圍是23Hz～101Hz

（2）觀察三角形載波Uc的波形（“1”端與“地”端），測出其頻率，并觀察Uc和U2

的對應關系：Uc：19.23kHz，U2：98.62Hz

（3）觀察經(jīng)過三角波和正弦波比較后得到的SPWM波形（“3”端與“地”端），并比較“3”端和“4”端的相位關系，可得相位相差π，“3”端和“4”端為反相關系。

（4）觀察對VT1、VT2進行控制的SPWM信號（“5”端與“地”端）和對VT3、VT4進行控制的SPWM信號(“6”端與“地”端)，仔細觀察“5”端信號和“6”端防號之間的互鎖延遲時間為2.960μs

2．驅(qū)動信號觀察

在主電路不接通電源情況下，S3扭子開關打向“OFF”，分別將“SPWM波形發(fā)生”的G1、E1、G2、E2、G3、E3、G4和“單相交直交變頻電路”的對應端相連。經(jīng)檢查接線正確后，S3扭子開關打向“ON”，對比VTI和VT2的驅(qū)動信號，VT3和VT4的驅(qū)動信號，觀察同一相上、下兩管驅(qū)動信號的波形，幅值以及互鎖延遲時間得出如下數(shù)據(jù)：

VT1=1.41V,VT2=15.1V,互鎖延遲時間為5.4μsVT3=1.4V,VT4=14.8V，互鎖延遲時間為6μs3．S3扭子開關打向“OFF”，分別將“主電源2”的輸出端“1”和“單相交直交變頻電路”的“1”端相連，“主電源2”的輸出端“2”和“單相交直交變頻電路”的“2”端相連，將“單相交直交變頻電路”的“4”、“5”端分別串聯(lián)MEL-03電阻箱（將一組900Ω/0.41A并聯(lián)，然后順時針旋轉(zhuǎn)調(diào)至阻值最大約450Ω）和交流安培表（將量程切換到2A擋）。將經(jīng)檢查無誤后，S3扭子開關打向“ON”，合上主電源（調(diào)節(jié)負載電阻阻值使輸出負載電壓波形達到最佳值，電阻負載阻值在90Ω~360Ω時波形最好）。此時，幅值為15.5V，頻率為57.64Hz。

4．當負載為電阻時，觀察負載電壓的波形，記錄其波形、幅值、頻率。在正弦波Ur的頻率可調(diào)范圍內(nèi)，改變Ur的頻率多組，記錄相應的負載電壓、波形、幅值和頻率如下表3-1。

表3-1負載電壓波形、幅值和頻率波形幅值頻率15.1V30.44Hz15.8V63.90Hz16.7V90.50Hz

六．注意事項

1．“輸出端”不允許開路，同時最大電流不允許超過“1A”。

2．注意電源要使用“主電源2”的“15V”電壓其他同“直流斬波”電路相同。

七．實驗小結

1．實驗電路中的PWM控制是采用異步調(diào)制，因為實驗中我們調(diào)節(jié)的是正弦波的頻率而保持三角波的頻率不變。2．為使輸出波形盡可能的接近正弦波，可以采取將正弦波的頻率調(diào)節(jié)的較低。

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